上海功成半导体科技有限公司（CoolSemi）成立于2018年5月，总部位于上海，在无锡、深圳、成都等地设立分公司。功成半导体以市场需求为导向，技术创新驱动，致力于半导体功率器件的研发与产业化，为客户提供高效可靠的产品。主要从事低压屏蔽栅SGT、高压超结SJ、沟槽栅场截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块IPM、功率IC的设计和研发。

展品特点：SJ  MOSFET（Super Junction  MOSFET）超结功率器件采用N型和P型周期排列结型耐压层，突破了传统硅基MOS器件的理论极限，相对于传统平面VDMOS器件Rdson*A-BV的2.5次方关系，SJ  MOSFET的导通电阻与击穿电压达到近似线性的关系。因此SJ  MOSFET的导通电阻RDS(on)、栅极容值和输出电荷以及管芯尺寸同时得到明显降低，成为高压开关转换器领域的高效率典型功率器件。

展品特点：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极晶体管，是在普通VDMOS基础上，晶圆背面增加了P+注入，利用电导调制效应在漂移区增加载流子数量，从而大幅度降低器件的导通电阻和芯片面积。IGBT器件电流密度高且功耗低，能够显著提高能效、降低散热需求，适用于高电压、大电流等大功率场景。